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Horno Bridgman de Alta Temperatura 1200℃ para el Crecimiento de Materiales Semiconductores
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Horno Bridgman de Alta Temperatura 1200℃ para el Crecimiento de Materiales Semiconductores

USD 22000,00 – 23000,00 / piece
El precio varía según cantidad y especificaciones
Cant. mín. 1 piece
Categoría Instruments & Meters
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Okay Energy Equipment Co., Ltd.

China

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Horno Bridgman de Alta Temperatura 1200℃ para el Crecimiento de Materiales Semiconductores
Horno Bridgman de Alta Temperatura 1200℃ para el Crecimiento de Materiales Semiconductores

Especificaciones técnicas

N.º de modeloVTL1200-BG
Servicio posventa1 Año
Garantía1 Año
AplicaciónLaboratorio
CertificaciónCE, ISO
Consulta rápida
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Horno Bridgman de Alta Temperatura 1200℃ para el Crecimiento de Materiales Semiconductores
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